AFP3407S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP3407S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP3407S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP3407S даташит

 ..1. Size:530K  alfa-mos
 afp3407s.pdf pdf_icon

AFP3407S

AFP3407S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3407S, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=75m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.2A,RDS(ON)=95m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 7.1. Size:662K  alfa-mos
 afp3407as.pdf pdf_icon

AFP3407S

AFP3407AS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3407AS, P-Channel enhancement mode -30V/-2.8A,RDS(ON)=77m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.4A,RDS(ON)=102m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

 8.1. Size:462K  alfa-mos
 afp3405.pdf pdf_icon

AFP3407S

AFP3405 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3405, P-Channel enhancement mode -30V/-4.0A,RDS(ON)=40m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.8A,RDS(ON)=50m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

 8.2. Size:766K  alfa-mos
 afp3401as.pdf pdf_icon

AFP3407S

AFP3401AS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3401AS, P-Channel enhancement mode -30V/-2.4 RDS(ON)=70 @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-1.8 RDS(ON)=80 @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.2 RDS(ON)=105 @VGS=-2.5V These devices are particularly suited for lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP2913W, AFP3050S, AFP3401AS, AFP3401S, AFP3403, AFP3403A, AFP3405, AFP3407AS, AO3400, AFP3411, AFP3413, AFP3413A, AFP3415, AFP3425, AFP3459, AFP3481S, AFP3485