AFP3981 Todos los transistores

 

AFP3981 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP3981
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

 Búsqueda de reemplazo de AFP3981 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AFP3981 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  alfa-mos
 afp3981.pdf pdf_icon

AFP3981

AFP3981 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3981, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=135m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=190m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for

 9.1. Size:577K  alfa-mos
 afp3993.pdf pdf_icon

AFP3981

AFP3993 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3993, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

Otros transistores... AFP3415 , AFP3425 , AFP3459 , AFP3481S , AFP3485 , AFP3497 , AFP3679S , AFP3804 , K3569 , AFP3993 , AFP4403 , AFP4435 , AFP4435S , AFP4435W , AFP4435WS , AFP4447 , AFP4535 .

History: SL1002B | CZDM1003N | WMK36N60C4 | CHM20P06PAGP | SSF2841 | BRCS2303MA | SSF2N60D

 

 
Back to Top

 


 
.