AFP3981 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFP3981
Código: 81*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.7 V
Carga de la puerta (Qg): 5.8 nC
Tiempo de subida (tr): 36 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 223 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFP3981
AFP3981 Datasheet (PDF)
afp3981.pdf
AFP3981 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3981, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=135m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=190m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for
afp3993.pdf
AFP3993 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3993, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
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