AFP3981 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP3981  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP3981

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP3981 даташит

 ..1. Size:531K  alfa-mos
 afp3981.pdf pdf_icon

AFP3981

AFP3981 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3981, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=135m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=190m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited for

 9.1. Size:577K  alfa-mos
 afp3993.pdf pdf_icon

AFP3981

AFP3993 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3993, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

Другие IGBT... AFP3415, AFP3425, AFP3459, AFP3481S, AFP3485, AFP3497, AFP3679S, AFP3804, IRF9540, AFP3993, AFP4403, AFP4435, AFP4435S, AFP4435W, AFP4435WS, AFP4447, AFP4535