Справочник MOSFET. AFP3981

 

AFP3981 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP3981
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AFP3981

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP3981 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  alfa-mos
 afp3981.pdf pdf_icon

AFP3981

AFP3981 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3981, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=135m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=190m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for

 9.1. Size:577K  alfa-mos
 afp3993.pdf pdf_icon

AFP3981

AFP3993 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3993, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

Другие MOSFET... AFP3415 , AFP3425 , AFP3459 , AFP3481S , AFP3485 , AFP3497 , AFP3679S , AFP3804 , K3569 , AFP3993 , AFP4403 , AFP4435 , AFP4435S , AFP4435W , AFP4435WS , AFP4447 , AFP4535 .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.