AFP4637W Todos los transistores

 

AFP4637W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP4637W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8P
 

 Búsqueda de reemplazo de AFP4637W MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AFP4637W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:804K  alfa-mos
 afp4637w.pdf pdf_icon

AFP4637W

AFP4637W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4637W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 7.1. Size:804K  alfa-mos
 afp4637.pdf pdf_icon

AFP4637W

AFP4637 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4637, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

Otros transistores... AFP4435S , AFP4435W , AFP4435WS , AFP4447 , AFP4535 , AFP4535W , AFP4599W , AFP4637 , AON7410 , AFP4925 , AFP4925S , AFP4925W , AFP4925WS , AFP4943WS , AFP4948 , AFP4953S , AFP4953WS .

History: SI3134KDW | BUZ221 | 2SK3109 | JCS7N65BE | BLP03N08-B

 

 
Back to Top

 


 
.