AFP4637W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP4637W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm

Encapsulados: SOP-8P

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AFP4637W datasheet

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AFP4637W

AFP4637W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4637W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

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AFP4637W

AFP4637 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4637, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

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