AFP4637W datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AFP4637W 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
Тип корпуса: SOP-8P
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AFP4637W
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AFP4637W даташит
afp4637w.pdf
AFP4637W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4637W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
afp4637.pdf
AFP4637 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4637, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
Другие IGBT... AFP4435S, AFP4435W, AFP4435WS, AFP4447, AFP4535, AFP4535W, AFP4599W, AFP4637, SPP20N60C3, AFP4925, AFP4925S, AFP4925W, AFP4925WS, AFP4943WS, AFP4948, AFP4953S, AFP4953WS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645


