AFP6459 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP6459  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.102 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8P

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AFP6459 datasheet

 ..1. Size:590K  alfa-mos
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AFP6459

AFP6459 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6459, P-Channel enhancement mode -60V/-5.4A,RDS(ON)=102m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-4.0A,RDS(ON)=115m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

 9.1. Size:541K  alfa-mos
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AFP6459

AFP6405S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6405S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=72m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.0A,RDS(ON)=92m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.2. Size:541K  alfa-mos
 afp6405ws.pdf pdf_icon

AFP6459

AFP6405WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6405WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=56m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.0A,RDS(ON)=86m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

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