AFP6459 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AFP6459 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8P
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AFP6459
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AFP6459 даташит
afp6459.pdf
AFP6459 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6459, P-Channel enhancement mode -60V/-5.4A,RDS(ON)=102m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-4.0A,RDS(ON)=115m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite
afp6405s.pdf
AFP6405S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6405S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=72m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.0A,RDS(ON)=92m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
afp6405ws.pdf
AFP6405WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6405WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=56m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.0A,RDS(ON)=86m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
Другие IGBT... AFP4925W, AFP4925WS, AFP4943WS, AFP4948, AFP4953S, AFP4953WS, AFP6405S, AFP6405WS, CS150N03A8, AFP6801, AFP6993, AFP7617WS, AFP8206, AFP8451, AFP8452, AFP8463, AFP8473
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g



