AFP6459 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AFP6459
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.102 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8P
AFP6459 Datasheet (PDF)
afp6459.pdf

AFP6459 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6459, P-Channel enhancement mode -60V/-5.4A,RDS(ON)=102m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-4.0A,RDS(ON)=115m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite
afp6405s.pdf

AFP6405S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6405S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=72m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.0A,RDS(ON)=92m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
afp6405ws.pdf

AFP6405WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6405WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=56m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.0A,RDS(ON)=86m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: STN4440 | TDM3508 | 2SK1295 | IRF9328 | SI7674DP | NTMS4101PR2 | NTMFS4C032N
History: STN4440 | TDM3508 | 2SK1295 | IRF9328 | SI7674DP | NTMS4101PR2 | NTMFS4C032N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g