AFP8463 Todos los transistores

 

AFP8463 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP8463
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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AFP8463 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:797K  alfa-mos
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AFP8463

AFP8463 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8463, P-Channel enhancement mode -40V/-6.0A,RDS(ON)= 46m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-4.2A,RDS(ON)= 62m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.1. Size:537K  alfa-mos
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AFP8463

AFP8452 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8452, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=70m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 9.2. Size:493K  alfa-mos
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AFP8463

AFP8483 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8483, P-Channel enhancement mode -100V/-3.8A,RDS(ON)= 260m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100V/-2.6A,RDS(ON)= 290m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particula

 9.3. Size:567K  alfa-mos
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AFP8463

AFP8451 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8451, P-Channel enhancement mode -60V/-3.0A,RDS(ON)=305m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-2.0A,RDS(ON)=330m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

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History: NTMFS4852N | AM3446N | CSD17577Q3A | NCEP40T13AGU | VS3622DE | SPN10T10 | STW9N150

 

 
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