AFP8473 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP8473  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: SOT-223

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AFP8473 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AFP8473 datasheet

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afp8473.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8473 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8473, P-Channel enhancement mode -60V/-4.8A,RDS(ON)= 135m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3.6A,RDS(ON)= 155m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.1. Size:537K  alfa-mos
 afp8452.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8452 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8452, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=70m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 9.2. Size:797K  alfa-mos
 afp8463.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8463 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8463, P-Channel enhancement mode -40V/-6.0A,RDS(ON)= 46m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-4.2A,RDS(ON)= 62m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.3. Size:493K  alfa-mos
 afp8483.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8483 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8483, P-Channel enhancement mode -100V/-3.8A,RDS(ON)= 260m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100V/-2.6A,RDS(ON)= 290m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particula

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AFP6459, AFP6801, AFP6993, AFP7617WS, AFP8206, AFP8451, AFP8452, AFP8463, 4N60, AFP8483, AFP8803, AFP8823, AFP8833, AFP8931, AFP8943, AFP8989, AFP8995