AFP8473 Todos los transistores

 

AFP8473 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP8473
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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AFP8473 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  alfa-mos
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AFP8473

AFP8473 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8473, P-Channel enhancement mode -60V/-4.8A,RDS(ON)= 135m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3.6A,RDS(ON)= 155m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.1. Size:537K  alfa-mos
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AFP8473

AFP8452 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8452, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=70m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 9.2. Size:797K  alfa-mos
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AFP8473

AFP8463 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8463, P-Channel enhancement mode -40V/-6.0A,RDS(ON)= 46m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-4.2A,RDS(ON)= 62m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.3. Size:493K  alfa-mos
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AFP8473

AFP8483 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8483, P-Channel enhancement mode -100V/-3.8A,RDS(ON)= 260m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100V/-2.6A,RDS(ON)= 290m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particula

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History: RU1H35Q | IRFS5615PBF | IPB09N03LAG | SI8424CDB | HSS3401A | 2SJ553S | AO6424

 

 
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