Справочник MOSFET. AFP8473

 

AFP8473 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP8473
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для AFP8473

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP8473 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afp8473.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8473 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8473, P-Channel enhancement mode -60V/-4.8A,RDS(ON)= 135m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3.6A,RDS(ON)= 155m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.1. Size:537K  alfa-mos
 afp8452.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8452 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8452, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=70m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 9.2. Size:797K  alfa-mos
 afp8463.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8463 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8463, P-Channel enhancement mode -40V/-6.0A,RDS(ON)= 46m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-4.2A,RDS(ON)= 62m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.3. Size:493K  alfa-mos
 afp8483.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8483 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8483, P-Channel enhancement mode -100V/-3.8A,RDS(ON)= 260m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100V/-2.6A,RDS(ON)= 290m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particula

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFP6459 , AFP6801 , AFP6993 , AFP7617WS , AFP8206 , AFP8451 , AFP8452 , AFP8463 , 10N65 , AFP8483 , AFP8803 , AFP8823 , AFP8833 , AFP8931 , AFP8943 , AFP8989 , AFP8995 .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.