AFP8473 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP8473  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP8473

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP8473 даташит

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afp8473.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8473 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8473, P-Channel enhancement mode -60V/-4.8A,RDS(ON)= 135m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3.6A,RDS(ON)= 155m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.1. Size:537K  alfa-mos
 afp8452.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8452 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8452, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=70m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 9.2. Size:797K  alfa-mos
 afp8463.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8463 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8463, P-Channel enhancement mode -40V/-6.0A,RDS(ON)= 46m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-4.2A,RDS(ON)= 62m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.3. Size:493K  alfa-mos
 afp8483.pdf pdf_icon

AFP8473

AFP8483 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8483, P-Channel enhancement mode -100V/-3.8A,RDS(ON)= 260m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100V/-2.6A,RDS(ON)= 290m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particula

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP6459, AFP6801, AFP6993, AFP7617WS, AFP8206, AFP8451, AFP8452, AFP8463, 4N60, AFP8483, AFP8803, AFP8823, AFP8833, AFP8931, AFP8943, AFP8989, AFP8995