AFP9407 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP9407  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOP-8P

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AFP9407 datasheet

 ..1. Size:495K  alfa-mos
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AFP9407

AFP9407 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9407, P-Channel enhancement mode -60V/-4.6A,RDS(ON)= 100m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3.8A,RDS(ON)= 120m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.1. Size:559K  alfa-mos
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AFP9407

AFP9434WS Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9434WS, P-Channel enhancement mode -20V/-6.5A,RDS(ON)=42m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.5A,RDS(ON)=58m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.5A,RDS(ON)=72m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for l

 9.2. Size:593K  alfa-mos
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AFP9407

AFP9435WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9435WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=58m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=78m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.3. Size:593K  alfa-mos
 afp9435s.pdf pdf_icon

AFP9407

AFP9435S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9435S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=52m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=76m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

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