IRLW540A Todos los transistores

 

IRLW540A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLW540A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: TO263

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IRLW540A datasheet

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IRLW540A

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IRLW540A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.058 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 28 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area o C 175 Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.046 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Ab

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IRLW540A

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IRLW540A

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History: IRLW610A

 

 

 

 

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