IRLW540A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLW540A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
Encapsulados: TO263
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IRLW540A datasheet
irlw540a.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.058 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 28 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area o C 175 Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.046 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Ab
Otros transistores... IRLU2705 , IRLU2905 , IRLU3103 , IRLU3303 , IRLU3410 , IRLW510A , IRLW520A , IRLW530A , 50N06 , IRLW610A , IRLW620A , IRLW630A , IRLW640A , IRLWZ14A , IRLWZ24A , IRLWZ34A , IRLWZ44A .
History: IRLW610A
History: IRLW610A
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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