IRLW540A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLW540A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 121 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 38.4 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 310 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.058 Ohm
Тип корпуса: TO263
IRLW540A Datasheet (PDF)
irlw540a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.058 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 28 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaoC 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.046 (Typ.) 112331. Gate 2. Drain 3. SourceAb
irlw510a irli510a.pdf
IRLW/I510AFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.44 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175C Operating Temperature2 Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON): 0.336 (Typ.)112331. Gate 2. Drai
irlw520a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.22 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.176 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsol
irlw530a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.101 (Typ.) 112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute
irlw510a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.44 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaoC 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.336 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. Source
Другие MOSFET... IRLU2705 , IRLU2905 , IRLU3103 , IRLU3303 , IRLU3410 , IRLW510A , IRLW520A , IRLW530A , IRF540 , IRLW610A , IRLW620A , IRLW630A , IRLW640A , IRLWZ14A , IRLWZ24A , IRLWZ34A , IRLWZ44A .
