AM10N30-600I Todos los transistores

 

AM10N30-600I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM10N30-600I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de AM10N30-600I MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AM10N30-600I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  analog power
am10n30-600i.pdf pdf_icon

AM10N30-600I

Analog Power AM10N30-600IN-Channel 300-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (m) ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 600 @ VGS = 10V 7.5converters and power management in portable and 300900 @ VGS = 5.5V 6.1

Otros transistores... IRFBC20PBF , IRFBC30AL , IRFBC30ALPBF , IRFBC30APBF , IRFBC30ASPBF , IRFBC30LPBF , IRFBC30PBF , IRFBC30SPBF , IRFP064N , AM10P10-530D , AM10P10-530I , AM10P15-550D , AM10P20-1400D , AM10P20-690D , AM110N06-08P , AM110P06-06B , AM110P08-11B .

 

 
Back to Top

 


AM10N30-600I
  AM10N30-600I
  AM10N30-600I
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt

 


 
.