AM10N30-600I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AM10N30-600I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AM10N30-600I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM10N30-600I даташит

 ..1. Size:70K  analog power
 am10n30-600i.pdf pdf_icon

AM10N30-600I

Analog Power AM10N30-600I N-Channel 300-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (m ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 600 @ VGS = 10V 7.5 converters and power management in portable and 300 900 @ VGS = 5.5V 6.1

Другие IGBT... IRFBC20PBF, IRFBC30AL, IRFBC30ALPBF, IRFBC30APBF, IRFBC30ASPBF, IRFBC30LPBF, IRFBC30PBF, IRFBC30SPBF, IRFP064N, AM10P10-530D, AM10P10-530I, AM10P15-550D, AM10P20-1400D, AM10P20-690D, AM110N06-08P, AM110P06-06B, AM110P08-11B