Справочник MOSFET. AM10N30-600I

 

AM10N30-600I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM10N30-600I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для AM10N30-600I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM10N30-600I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  analog power
 am10n30-600i.pdf pdf_icon

AM10N30-600I

Analog Power AM10N30-600IN-Channel 300-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (m) ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 600 @ VGS = 10V 7.5converters and power management in portable and 300900 @ VGS = 5.5V 6.1

Другие MOSFET... IRFBC20PBF , IRFBC30AL , IRFBC30ALPBF , IRFBC30APBF , IRFBC30ASPBF , IRFBC30LPBF , IRFBC30PBF , IRFBC30SPBF , 5N50 , AM10P10-530D , AM10P10-530I , AM10P15-550D , AM10P20-1400D , AM10P20-690D , AM110N06-08P , AM110P06-06B , AM110P08-11B .

History: SSM60T03GH | WMO13P06T1

 

 
Back to Top

 


 
.