AM10N30-600I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM10N30-600I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 60 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для AM10N30-600I
AM10N30-600I Datasheet (PDF)
..1. Size:70K analog power
am10n30-600i.pdf
am10n30-600i.pdf
Analog Power AM10N30-600IN-Channel 300-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (m) ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 600 @ VGS = 10V 7.5converters and power management in portable and 300900 @ VGS = 5.5V 6.1
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
