IRLW630A Todos los transistores

 

IRLW630A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLW630A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IRLW630A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  fairchild semi
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IRLW630A

IRLW/I630AFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 150C Operating Temperature2 Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON): 0.335 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3

 ..2. Size:1006K  samsung
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IRLW630A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.335 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M

 9.1. Size:204K  1
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IRLW630A

 9.2. Size:201K  1
irli640a irlw640a.pdf pdf_icon

IRLW630A

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