IRLW630A - описание и поиск аналогов

 

IRLW630A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLW630A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRLW630A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLW630A даташит

 ..1. Size:226K  fairchild semi
irlw630a irli630a.pdfpdf_icon

IRLW630A

IRLW/I630A FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK 150 C Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 0.335 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3

 ..2. Size:1006K  samsung
irlw630a.pdfpdf_icon

IRLW630A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 0.335 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute M

 9.1. Size:204K  1
irli620a irlw620a.pdfpdf_icon

IRLW630A

 9.2. Size:201K  1
irli640a irlw640a.pdfpdf_icon

IRLW630A

Другие MOSFET... IRLU3303 , IRLU3410 , IRLW510A , IRLW520A , IRLW530A , IRLW540A , IRLW610A , IRLW620A , IRF640 , IRLW640A , IRLWZ14A , IRLWZ24A , IRLWZ34A , IRLWZ44A , IRLZ10 , IRLZ14 , IRLZ14A .

History: IRF3315SPBF | STB9NK90Z | 90N03L | FDB14AN06LA0F085 | FS10UM-9 | FDT86256 | IRFH7914

 

 

 

 

↑ Back to Top
.