AM12N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM12N65P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 23 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM12N65P
AM12N65P Datasheet (PDF)
am12n65p.pdf
Analog Power AM12N65PN-Channel 650-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)800 @ VGS = 10V Low thermal impedance 65012a850 @ VGS = 6V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems DRAIN connected Industrial DC/DC Conversion Circuits
am12n65pcfm.pdf
Analog Power AM12N65PCFMN-Channel 650-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)800 @ VGS = 10V7 Low thermal impedance 650850 @ VGS = 6V6.5 Fast switching speed Typical Applications: Power Supplies Motor Drives Consumer Electronics ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTH
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