AM12N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM12N65P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM12N65P

AM12N65P Datasheet (PDF)

..1. Size:287K analog power
am12n65p.pdf

Analog Power AM12N65PN-Channel 650-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)800 @ VGS = 10V Low thermal impedance 65012a850 @ VGS = 6V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems DRAIN connected Industrial DC/DC Conversion Circuits

0.1. Size:271K analog power
am12n65pcfm.pdf

Analog Power AM12N65PCFMN-Channel 650-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)800 @ VGS = 10V7 Low thermal impedance 650850 @ VGS = 6V6.5 Fast switching speed Typical Applications: Power Supplies Motor Drives Consumer Electronics ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTH

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Liste

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