AM12N65P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AM12N65P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для AM12N65P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM12N65P даташит

 ..1. Size:287K  analog power
 am12n65p.pdf pdf_icon

AM12N65P

Analog Power AM12N65P N-Channel 650-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 800 @ VGS = 10V Low thermal impedance 650 12a 850 @ VGS = 6V Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems DRAIN connected Industrial DC/DC Conversion Circuits

 0.1. Size:271K  analog power
 am12n65pcfm.pdf pdf_icon

AM12N65P

Analog Power AM12N65PCFM N-Channel 650-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 800 @ VGS = 10V 7 Low thermal impedance 650 850 @ VGS = 6V 6.5 Fast switching speed Typical Applications Power Supplies Motor Drives Consumer Electronics ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C UNLESS OTH

Другие IGBT... AM10P10-530D, AM10P10-530I, AM10P15-550D, AM10P20-1400D, AM10P20-690D, AM110N06-08P, AM110P06-06B, AM110P08-11B, IRF540, AM12N65PCFM, AM1320N, AM1321P, AM1323P, AM1330N, AM1331P, AM1340N, AM1360NE