Справочник MOSFET. AM12N65P

 

AM12N65P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM12N65P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для AM12N65P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM12N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  analog power
 am12n65p.pdf pdf_icon

AM12N65P

Analog Power AM12N65PN-Channel 650-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)800 @ VGS = 10V Low thermal impedance 65012a850 @ VGS = 6V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems DRAIN connected Industrial DC/DC Conversion Circuits

 0.1. Size:271K  analog power
 am12n65pcfm.pdf pdf_icon

AM12N65P

Analog Power AM12N65PCFMN-Channel 650-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)800 @ VGS = 10V7 Low thermal impedance 650850 @ VGS = 6V6.5 Fast switching speed Typical Applications: Power Supplies Motor Drives Consumer Electronics ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTH

Другие MOSFET... AM10P10-530D , AM10P10-530I , AM10P15-550D , AM10P20-1400D , AM10P20-690D , AM110N06-08P , AM110P06-06B , AM110P08-11B , IRF540N , AM12N65PCFM , AM1320N , AM1321P , AM1323P , AM1330N , AM1331P , AM1340N , AM1360NE .

History: CS3N90A8 | JFFM10N60C | WMC1N40D1

 

 
Back to Top

 


 
.