AM1330N Todos los transistores

 

AM1330N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM1330N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
     - Selección de transistores por parámetros

 

AM1330N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  analog power
 am1330n.pdf pdf_icon

AM1330N

Analog Power AM1330NN-Channel 30V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 10 V 2.0battery-powered products such

 9.1. Size:123K  analog power
 am1331p.pdf pdf_icon

AM1330N

Analog Power AM1331PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.112 @ VG = -10V -1.5converters and power management in portable and S-30battery-powered produ

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History: KIA2N60H-220 | NVMFD5485NLT1G | STD16NF06T4 | P0770ETF | SST65R1K2S2E | AP4506GEM | STFW3N150

 

 
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