AM1330N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM1330N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для AM1330N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1330N даташит

 ..1. Size:154K  analog power
 am1330n.pdf pdf_icon

AM1330N

Analog Power AM1330N N-Channel 30V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 10 V 2.0 battery-powered products such

 9.1. Size:123K  analog power
 am1331p.pdf pdf_icon

AM1330N

Analog Power AM1331P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 0.112 @ VG = -10V -1.5 converters and power management in portable and S -30 battery-powered produ

Другие IGBT... AM110N06-08P, AM110P06-06B, AM110P08-11B, AM12N65P, AM12N65PCFM, AM1320N, AM1321P, AM1323P, IRF1404, AM1331P, AM1340N, AM1360NE, AM1370N, AM1400NE, AM1420N, AM1421P, AM1430N