Справочник MOSFET. AM1330N

 

AM1330N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM1330N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SC-70
 

 Аналог (замена) для AM1330N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1330N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  analog power
 am1330n.pdf pdf_icon

AM1330N

Analog Power AM1330NN-Channel 30V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 10 V 2.0battery-powered products such

 9.1. Size:123K  analog power
 am1331p.pdf pdf_icon

AM1330N

Analog Power AM1331PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.112 @ VG = -10V -1.5converters and power management in portable and S-30battery-powered produ

Другие MOSFET... AM110N06-08P , AM110P06-06B , AM110P08-11B , AM12N65P , AM12N65PCFM , AM1320N , AM1321P , AM1323P , IRF1404 , AM1331P , AM1340N , AM1360NE , AM1370N , AM1400NE , AM1420N , AM1421P , AM1430N .

History: TK65G10N1 | MS6N90 | UTT108N03 | STL19N65M5 | GSM3456 | R6024KNZ1 | SW4N80B

 

 
Back to Top

 


 
.