AM1360NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM1360NE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.34 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 4 nC
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70
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AM1360NE Datasheet (PDF)
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Analog Power AM1360NEN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC VDS (V) rDS(on) () ID (A)converters and power management in portable and 3 @ VGS = 10 V 0.3battery-powered products such as
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