AM1360NE Todos los transistores

 

AM1360NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM1360NE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

 Búsqueda de reemplazo de AM1360NE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AM1360NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  analog power
 am1360ne.pdf pdf_icon

AM1360NE

Analog Power AM1360NEN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC VDS (V) rDS(on) () ID (A)converters and power management in portable and 3 @ VGS = 10 V 0.3battery-powered products such as

Otros transistores... AM12N65P , AM12N65PCFM , AM1320N , AM1321P , AM1323P , AM1330N , AM1331P , AM1340N , IRF640N , AM1370N , AM1400NE , AM1420N , AM1421P , AM1430N , AM1431P , AM1432NE , AM1433PE .

 

 
Back to Top

 


 
.