AM1360NE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AM1360NE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SC-70
Аналог (замена) для AM1360NE
AM1360NE Datasheet (PDF)
am1360ne.pdf

Analog Power AM1360NEN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC VDS (V) rDS(on) () ID (A)converters and power management in portable and 3 @ VGS = 10 V 0.3battery-powered products such as
Другие MOSFET... AM12N65P , AM12N65PCFM , AM1320N , AM1321P , AM1323P , AM1330N , AM1331P , AM1340N , IRF630 , AM1370N , AM1400NE , AM1420N , AM1421P , AM1430N , AM1431P , AM1432NE , AM1433PE .
History: PSMN017-30BL | NTMD3P03R2G | IRF833FI | FDT1600N10A | BRCS9926SC | HSBA3004 | IRFR9024PBF
History: PSMN017-30BL | NTMD3P03R2G | IRF833FI | FDT1600N10A | BRCS9926SC | HSBA3004 | IRFR9024PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n