AM1360NE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM1360NE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для AM1360NE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1360NE даташит

 ..1. Size:114K  analog power
 am1360ne.pdf pdf_icon

AM1360NE

Analog Power AM1360NE N-Channel 60V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) converters and power management in portable and 3 @ VGS = 10 V 0.3 battery-powered products such as

Другие IGBT... AM12N65P, AM12N65PCFM, AM1320N, AM1321P, AM1323P, AM1330N, AM1331P, AM1340N, IRF640N, AM1370N, AM1400NE, AM1420N, AM1421P, AM1430N, AM1431P, AM1432NE, AM1433PE