Справочник MOSFET. AM1360NE

 

AM1360NE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM1360NE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SC-70
 

 Аналог (замена) для AM1360NE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1360NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  analog power
 am1360ne.pdf pdf_icon

AM1360NE

Analog Power AM1360NEN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC VDS (V) rDS(on) () ID (A)converters and power management in portable and 3 @ VGS = 10 V 0.3battery-powered products such as

Другие MOSFET... AM12N65P , AM12N65PCFM , AM1320N , AM1321P , AM1323P , AM1330N , AM1331P , AM1340N , IRF630 , AM1370N , AM1400NE , AM1420N , AM1421P , AM1430N , AM1431P , AM1432NE , AM1433PE .

History: PSMN017-30BL | NTMD3P03R2G | IRF833FI | FDT1600N10A | BRCS9926SC | HSBA3004 | IRFR9024PBF

 

 
Back to Top

 


 
.