AM1370N Todos los transistores

 

AM1370N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM1370N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

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AM1370N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  analog power
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AM1370N

Analog Power AM1370NN-Channel 180-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)1500 @ VGS = 10V0.39 Low thermal impedance 1801600 @ VGS = 4.5V0.38 Fast switching speed Typical Applications: SC70-3 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits

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History: IRL1404ZSPBF | IRL6283M

 

 
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