AM1370N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM1370N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.34 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 180 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.39 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 3 nC
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 12 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70
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AM1370N Datasheet (PDF)
..1. Size:289K analog power
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Analog Power AM1370NN-Channel 180-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)1500 @ VGS = 10V0.39 Low thermal impedance 1801600 @ VGS = 4.5V0.38 Fast switching speed Typical Applications: SC70-3 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
