Справочник MOSFET. AM1370N

 

AM1370N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM1370N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.39 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SC-70
 

 Аналог (замена) для AM1370N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1370N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  analog power
 am1370n.pdf pdf_icon

AM1370N

Analog Power AM1370NN-Channel 180-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)1500 @ VGS = 10V0.39 Low thermal impedance 1801600 @ VGS = 4.5V0.38 Fast switching speed Typical Applications: SC70-3 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits

Другие MOSFET... AM12N65PCFM , AM1320N , AM1321P , AM1323P , AM1330N , AM1331P , AM1340N , AM1360NE , 10N60 , AM1400NE , AM1420N , AM1421P , AM1430N , AM1431P , AM1432NE , AM1433PE , AM1434N .

History: SWB10N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.