AM1370N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM1370N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.34 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 180 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.39 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 12 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: SC-70
AM1370N Datasheet (PDF)
..1. Size:289K analog power
am1370n.pdf
am1370n.pdf
Analog Power AM1370NN-Channel 180-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)1500 @ VGS = 10V0.39 Low thermal impedance 1801600 @ VGS = 4.5V0.38 Fast switching speed Typical Applications: SC70-3 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
