AM1370N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM1370N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 180 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для AM1370N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1370N даташит

 ..1. Size:289K  analog power
 am1370n.pdf pdf_icon

AM1370N

Analog Power AM1370N N-Channel 180-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 1500 @ VGS = 10V 0.39 Low thermal impedance 180 1600 @ VGS = 4.5V 0.38 Fast switching speed Typical Applications SC70-3 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits

Другие IGBT... AM12N65PCFM, AM1320N, AM1321P, AM1323P, AM1330N, AM1331P, AM1340N, AM1360NE, IRFP260N, AM1400NE, AM1420N, AM1421P, AM1430N, AM1431P, AM1432NE, AM1433PE, AM1434N