AM1922NE Todos los transistores

 

AM1922NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM1922NE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

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AM1922NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  analog power
 am1922ne.pdf pdf_icon

AM1922NE

Analog Power AM1922NEN-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (m) ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 88 @ VGS = 4.5V 1.6dissipation. Typical applications are DC-DC 20converters and power management in portable and 120 @ VGS = 2.5V 1.3batt

 9.1. Size:408K  analog power
 am1925pe.pdf pdf_icon

AM1922NE

Analog Power AM1925PEP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)160 @ VGS = -4.5V -1.2 Low thermal impedance -20210 @ VGS = -2.5V -1.1 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MA

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History: VBA1310S | SSF4004S | TPC8213-H | PJL9418 | HFS12N65U | FMW60N190S2HF | IRHN9230

 

 
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