AM1922NE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM1922NE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для AM1922NE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1922NE даташит

 ..1. Size:93K  analog power
 am1922ne.pdf pdf_icon

AM1922NE

Analog Power AM1922NE N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (m ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 88 @ VGS = 4.5V 1.6 dissipation. Typical applications are DC-DC 20 converters and power management in portable and 120 @ VGS = 2.5V 1.3 batt

 9.1. Size:408K  analog power
 am1925pe.pdf pdf_icon

AM1922NE

Analog Power AM1925PE P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 160 @ VGS = -4.5V -1.2 Low thermal impedance -20 210 @ VGS = -2.5V -1.1 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MA

Другие IGBT... AM1440N, AM1523CE, AM1535CE, AM1537CE, AM1541CE, AM1561CE, AM1580CE, AM1590CE, 2N7002, AM1925PE, AM1936NE, AM1960NE, AM1963PE, AM20N06-90D, AM20N06-90I, AM20N10-115D, AM20N10-130D