AM1960NE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM1960NE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SC-70

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AM1960NE datasheet

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AM1960NE

Analog Power AM1960NE Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) ( ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 2 @ VGS = 10V 0.32 Low thermal impedance 60 3 @ VGS = 4.5V 0.26 Fast switching speed Typical Applications DC/DC Conversion Circuits Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)

 9.1. Size:305K  analog power
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AM1960NE

Analog Power AM1963PE Dual P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 700 @ VGS = -10V -0.57 Low thermal impedance -60 860 @ VGS = -4.5V -0.52 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

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