AM1960NE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AM1960NE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SC-70
Аналог (замена) для AM1960NE
AM1960NE Datasheet (PDF)
am1960ne.pdf

Analog Power AM1960NEDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)2 @ VGS = 10V0.32 Low thermal impedance 603 @ VGS = 4.5V0.26 Fast switching speed Typical Applications: DC/DC Conversion Circuits Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTHERWISE NOTED)
am1963pe.pdf

Analog Power AM1963PEDual P-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)700 @ VGS = -10V -0.57 Low thermal impedance -60860 @ VGS = -4.5V -0.52 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO
Другие MOSFET... AM1537CE , AM1541CE , AM1561CE , AM1580CE , AM1590CE , AM1922NE , AM1925PE , AM1936NE , 5N60 , AM1963PE , AM20N06-90D , AM20N06-90I , AM20N10-115D , AM20N10-130D , AM20N10-180D , AM20N10-250D , AM20N10-250DE .
History: RJK2017DPP | BSC072N03LDG | 2SK1985
History: RJK2017DPP | BSC072N03LDG | 2SK1985



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg