IRFD012 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD012

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: DIP-4

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IRFD012 datasheet

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IRFD012

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IRFD012

PD- 95920 IRFD014PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91125 www.vishay.com 1 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 2 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 3 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 4 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 5 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 6 IRFD014PbF Peak Diode Recovery

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IRFD012

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IRFD012

IRFD014, SiHFD014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 11 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.1 Qgd (nC) 5.8 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requireme

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