Справочник MOSFET. IRFD012

 

IRFD012 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFD012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: DIP-4
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFD012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  international rectifier
 irfd010 irfd012.pdf pdf_icon

IRFD012

 8.1. Size:1360K  international rectifier
 irfd014pbf.pdf pdf_icon

IRFD012

PD- 95920IRFD014PbF Lead-Free10/27/04Document Number: 91125 www.vishay.com1IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com2IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com3IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com4IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com5IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com6IRFD014PbFPeak Diode Recovery

 8.2. Size:171K  international rectifier
 irfd014.pdf pdf_icon

IRFD012

 8.3. Size:2019K  vishay
 irfd014 sihfd014.pdf pdf_icon

IRFD012

IRFD014, SiHFD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 11COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.1Qgd (nC) 5.8 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requireme

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFBF20PBF , IRFBF20SPBF , IRFBF30PBF , IRFBF30S , IRFBF30SPBF , IRFBG20PBF , IRFBG30PBF , IRFD010 , P0903BDG , IRFD014PBF , IRFD020 , IRFD020PBF , IRFD024PBF , IRFD110PBF , IRFD113PBF , IRFD120PBF , IRFD123PBF .

 

 
Back to Top

 


 
.