IRFD012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFD012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: DIP-4

Аналог (замена) для IRFD012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFD012 даташит

 ..1. Size:439K  international rectifier
 irfd010 irfd012.pdf pdf_icon

IRFD012

 8.1. Size:1360K  international rectifier
 irfd014pbf.pdf pdf_icon

IRFD012

PD- 95920 IRFD014PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91125 www.vishay.com 1 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 2 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 3 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 4 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 5 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 6 IRFD014PbF Peak Diode Recovery

 8.2. Size:171K  international rectifier
 irfd014.pdf pdf_icon

IRFD012

 8.3. Size:2019K  vishay
 irfd014 sihfd014.pdf pdf_icon

IRFD012

IRFD014, SiHFD014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 11 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.1 Qgd (nC) 5.8 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requireme

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFBF20PBF, IRFBF20SPBF, IRFBF30PBF, IRFBF30S, IRFBF30SPBF, IRFBG20PBF, IRFBG30PBF, IRFD010, IRF1407, IRFD014PBF, IRFD020, IRFD020PBF, IRFD024PBF, IRFD110PBF, IRFD113PBF, IRFD120PBF, IRFD123PBF