IRFD9113 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD9113

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: DIP-4

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IRFD9113 datasheet

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IRFD9113

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IRFD9113

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IRFD9113

PD- 95921 IRFD9110PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91138 www.vishay.com 1 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 2 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 3 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 4 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 5 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 6 IRFD9110PbF Peak Diode R

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IRFD9113

IRFD9110, SiHFD9110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.2 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.7 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.2 P-Channel Qgd (nC) 4.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin

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