IRFD9113. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFD9113

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: DIP-4

Аналог (замена) для IRFD9113

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFD9113 даташит

 ..1. Size:218K  international rectifier
 irfd9113.pdf pdf_icon

IRFD9113

 7.1. Size:173K  international rectifier
 irfd9110.pdf pdf_icon

IRFD9113

 7.2. Size:1810K  international rectifier
 irfd9110pbf.pdf pdf_icon

IRFD9113

PD- 95921 IRFD9110PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91138 www.vishay.com 1 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 2 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 3 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 4 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 5 IRFD9110PbF Document Number 91138 www.vishay.com 6 IRFD9110PbF Peak Diode R

 7.3. Size:1639K  vishay
 irfd9110 sihfd9110.pdf pdf_icon

IRFD9113

IRFD9110, SiHFD9110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.2 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.7 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.2 P-Channel Qgd (nC) 4.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFD420PBF, IRFD9010, IRFD9012, IRFD9010PBF, IRFD9014PBF, IRFD9020PBF, IRFD9024PBF, IRFD9110PBF, IRFZ46N, IRFD9120PBF, IRFD9210PBF, IRFD9220PBF, IRFDC20PBF, IRFEA240, IRFF034, IRFF212, IRFF213