IRFEA240 Todos los transistores

 

IRFEA240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFEA240
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 196 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 434 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC28
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFEA240 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  international rectifier
 irfea240.pdf pdf_icon

IRFEA240

PD - 93978HEXFET POWER MOSFET IRFEA240SURFACE MOUNT (LCC-28) 200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFEA240 200V 0.18 11AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromLCC-28International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theFeatures:fast sw

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History: IRFSL52N15DPBF | FDB6690S | RJK0629DPK | 2SK2907-01 | NCEP070N10GU | RUH1H130S | WMQ46N03T1

 

 
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