IRFEA240 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFEA240

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 196 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 434 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: LCC28

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IRFEA240 datasheet

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IRFEA240

PD - 93978 HEXFET POWER MOSFET IRFEA240 SURFACE MOUNT (LCC-28) 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFEA240 200V 0.18 11A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from LCC-28 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features fast sw

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