IRFEA240 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFEA240
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 196 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 434 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: LCC28
Аналог (замена) для IRFEA240
IRFEA240 Datasheet (PDF)
irfea240.pdf

PD - 93978HEXFET POWER MOSFET IRFEA240SURFACE MOUNT (LCC-28) 200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFEA240 200V 0.18 11AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromLCC-28International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theFeatures:fast sw
Другие MOSFET... IRFD9020PBF , IRFD9024PBF , IRFD9110PBF , IRFD9113 , IRFD9120PBF , IRFD9210PBF , IRFD9220PBF , IRFDC20PBF , HY1906P , IRFF034 , IRFF212 , IRFF213 , IRFF30B , IRFF30C , IRFF640 , IRFG110 , IRFG5110 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270