Справочник MOSFET. IRFEA240

 

IRFEA240 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFEA240
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 84 nC
   trⓘ - Время нарастания: 196 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 434 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: LCC28
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFEA240 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  international rectifier
irfea240.pdfpdf_icon

IRFEA240

PD - 93978HEXFET POWER MOSFET IRFEA240SURFACE MOUNT (LCC-28) 200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFEA240 200V 0.18 11AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromLCC-28International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theFeatures:fast sw

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N65KL-TND-R | AOTF11C60 | TPP60R240M | FQB70N08

 

 
Back to Top

 


 
.