IRFEA240 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFEA240
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 196 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 434 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: LCC28
Аналог (замена) для IRFEA240
IRFEA240 Datasheet (PDF)
irfea240.pdf
PD - 93978HEXFET POWER MOSFET IRFEA240SURFACE MOUNT (LCC-28) 200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFEA240 200V 0.18 11AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromLCC-28International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theFeatures:fast sw
Другие MOSFET... IRFD9020PBF , IRFD9024PBF , IRFD9110PBF , IRFD9113 , IRFD9120PBF , IRFD9210PBF , IRFD9220PBF , IRFDC20PBF , AON7403 , IRFF034 , IRFF212 , IRFF213 , IRFF30B , IRFF30C , IRFF640 , IRFG110 , IRFG5110 .
History: SML80B16F
History: SML80B16F
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270


