IRFG110 Todos los transistores

 

IRFG110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFG110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFG110 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFG110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  international rectifier
 2n7334 irfg110.pdf pdf_icon

IRFG110

PD-90396HIRFG110JANTX2N7334JANTXV2N7334POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/597THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFG110 0.7 1.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry design achieves very low on-stateres

Otros transistores... IRFDC20PBF , IRFEA240 , IRFF034 , IRFF212 , IRFF213 , IRFF30B , IRFF30C , IRFF640 , IRFB7545 , IRFG5110 , IRFG5210 , IRFG6110 , IRFG9110 , IRFH3702PBF , IRFH3707PBF , IRFH3707PBF-1 , IRFH4201 .

History: SI7123DN | NCEP033N10M | AP9962BGH-HF | NP20P04SLG | IPP80P04P4-07 | NCE65N900K | IRFS642

 

 
Back to Top

 


 
.