IRFG110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFG110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: MO-036AB
Búsqueda de reemplazo de IRFG110 MOSFET
IRFG110 Datasheet (PDF)
2n7334 irfg110.pdf

PD-90396HIRFG110JANTX2N7334JANTXV2N7334POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/597THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFG110 0.7 1.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry design achieves very low on-stateres
Otros transistores... IRFDC20PBF , IRFEA240 , IRFF034 , IRFF212 , IRFF213 , IRFF30B , IRFF30C , IRFF640 , AO4468 , IRFG5110 , IRFG5210 , IRFG6110 , IRFG9110 , IRFH3702PBF , IRFH3707PBF , IRFH3707PBF-1 , IRFH4201 .
History: SI8822 | SPI15N65C3 | IRF7807D2PBF
History: SI8822 | SPI15N65C3 | IRF7807D2PBF



Liste
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