Справочник MOSFET. IRFG110

 

IRFG110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFG110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB
 

 Аналог (замена) для IRFG110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFG110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  international rectifier
 2n7334 irfg110.pdf pdf_icon

IRFG110

PD-90396HIRFG110JANTX2N7334JANTXV2N7334POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/597THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFG110 0.7 1.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry design achieves very low on-stateres

Другие MOSFET... IRFDC20PBF , IRFEA240 , IRFF034 , IRFF212 , IRFF213 , IRFF30B , IRFF30C , IRFF640 , AO4468 , IRFG5110 , IRFG5210 , IRFG6110 , IRFG9110 , IRFH3702PBF , IRFH3707PBF , IRFH3707PBF-1 , IRFH4201 .

History: CM2N60F | SI8475EDB | AONS66607 | IXFV110N10P | PMN70XPE | SI8473EDB | APT56F60L

 

 
Back to Top

 


 
.