IRFG110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFG110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: MO-036AB

Аналог (замена) для IRFG110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFG110 даташит

 ..1. Size:267K  international rectifier
 2n7334 irfg110.pdf pdf_icon

IRFG110

PD-90396H IRFG110 JANTX2N7334 JANTXV2N7334 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/597 THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFG110 0.7 1.0A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state res

Другие IGBT... IRFDC20PBF, IRFEA240, IRFF034, IRFF212, IRFF213, IRFF30B, IRFF30C, IRFF640, 60N06, IRFG5110, IRFG5210, IRFG6110, IRFG9110, IRFH3702PBF, IRFH3707PBF, IRFH3707PBF-1, IRFH4201