IRFG5110 Todos los transistores

 

IRFG5110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFG5110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFG5110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  international rectifier
 irfg5110.pdf pdf_icon

IRFG5110

PD - 90437DIRFG5110POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5110 0.7 1.0A N IRFG5110 0.7 -1.0A PHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state res

 9.1. Size:189K  international rectifier
 irfg5210.pdf pdf_icon

IRFG5110

PD - 91664BIRFG5210POWER MOSFET200V, Combination 2N-2P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5210 1.6 0.68A N IRFG5210 1.6 -0.68A PHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheMO-036ABefficient geometry design achieves very low

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History: PDD3906 | WMQ46N03T1 | RJK0629DPK | 2SK2907-01 | FDB6690S | RUH1H130S | NCEP070N10GU

 

 
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