IRFG5110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFG5110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: MO-036AB

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IRFG5110 datasheet

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IRFG5110

PD - 90437D IRFG5110 POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5110 0.7 1.0A N IRFG5110 0.7 -1.0A P HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state res

 9.1. Size:189K  international rectifier
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IRFG5110

PD - 91664B IRFG5210 POWER MOSFET 200V, Combination 2N-2P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5210 1.6 0.68A N IRFG5210 1.6 -0.68A P HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The MO-036AB efficient geometry design achieves very low

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