Справочник MOSFET. IRFG5110

 

IRFG5110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFG5110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB
 

 Аналог (замена) для IRFG5110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFG5110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  international rectifier
 irfg5110.pdf pdf_icon

IRFG5110

PD - 90437DIRFG5110POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5110 0.7 1.0A N IRFG5110 0.7 -1.0A PHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state res

 9.1. Size:189K  international rectifier
 irfg5210.pdf pdf_icon

IRFG5110

PD - 91664BIRFG5210POWER MOSFET200V, Combination 2N-2P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5210 1.6 0.68A N IRFG5210 1.6 -0.68A PHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheMO-036ABefficient geometry design achieves very low

Другие MOSFET... IRFEA240 , IRFF034 , IRFF212 , IRFF213 , IRFF30B , IRFF30C , IRFF640 , IRFG110 , 5N50 , IRFG5210 , IRFG6110 , IRFG9110 , IRFH3702PBF , IRFH3707PBF , IRFH3707PBF-1 , IRFH4201 , IRFH4209D .

History: SI3473DV | 4N65G-TQ2-T

 

 
Back to Top

 


 
.