IRFG5110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFG5110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: MO-036AB

Аналог (замена) для IRFG5110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFG5110 даташит

 ..1. Size:392K  international rectifier
 irfg5110.pdf pdf_icon

IRFG5110

PD - 90437D IRFG5110 POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5110 0.7 1.0A N IRFG5110 0.7 -1.0A P HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state res

 9.1. Size:189K  international rectifier
 irfg5210.pdf pdf_icon

IRFG5110

PD - 91664B IRFG5210 POWER MOSFET 200V, Combination 2N-2P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5210 1.6 0.68A N IRFG5210 1.6 -0.68A P HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The MO-036AB efficient geometry design achieves very low

Другие IGBT... IRFEA240, IRFF034, IRFF212, IRFF213, IRFF30B, IRFF30C, IRFF640, IRFG110, IRFP064N, IRFG5210, IRFG6110, IRFG9110, IRFH3702PBF, IRFH3707PBF, IRFH3707PBF-1, IRFH4201, IRFH4209D