IRFG6110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFG6110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: MO-036AB
Búsqueda de reemplazo de IRFG6110 MOSFET
IRFG6110 PDF Specs
irfg6110.pdf
PD - 90436F IRFG6110 JANTX2N7336 JANTXV2N7336 REF MIL-PRF-19500/598 POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG6110 0.7 1.0A N IRFG6110 1.4 -0.75A P HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The effi... See More ⇒
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INCH POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL PRF 19500/598C shall be completed by 26 May 2015. w/AMENDMENT 2 26 February 2015 SUPERSEDING MIL PRF 19500/598C w/AMENDMENT 1 8 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL AND N-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PA... See More ⇒
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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