IRFG6110 Todos los transistores

 

IRFG6110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFG6110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFG6110

 

Principales características: IRFG6110

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IRFG6110

PD - 90436F IRFG6110 JANTX2N7336 JANTXV2N7336 REF MIL-PRF-19500/598 POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG6110 0.7 1.0A N IRFG6110 1.4 -0.75A P HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The effi

 ..2. Size:218K  no
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IRFG6110

INCH POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL PRF 19500/598C shall be completed by 26 May 2015. w/AMENDMENT 2 26 February 2015 SUPERSEDING MIL PRF 19500/598C w/AMENDMENT 1 8 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL AND N-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PA

Otros transistores... IRFF212 , IRFF213 , IRFF30B , IRFF30C , IRFF640 , IRFG110 , IRFG5110 , IRFG5210 , IRF730 , IRFG9110 , IRFH3702PBF , IRFH3707PBF , IRFH3707PBF-1 , IRFH4201 , IRFH4209D , IRFH4210 , IRFH4210D .

History: IRC5305 | IRFBC40

 

 
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