IRFG6110 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFG6110  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: MO-036AB

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IRFG6110 datasheet

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IRFG6110

PD - 90436F IRFG6110 JANTX2N7336 JANTXV2N7336 REF MIL-PRF-19500/598 POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG6110 0.7 1.0A N IRFG6110 1.4 -0.75A P HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The effi

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IRFG6110

INCH POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL PRF 19500/598C shall be completed by 26 May 2015. w/AMENDMENT 2 26 February 2015 SUPERSEDING MIL PRF 19500/598C w/AMENDMENT 1 8 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL AND N-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PA

Otros transistores... IRFF212, IRFF213, IRFF30B, IRFF30C, IRFF640, IRFG110, IRFG5110, IRFG5210, AOD4184A, IRFG9110, IRFH3702PBF, IRFH3707PBF, IRFH3707PBF-1, IRFH4201, IRFH4209D, IRFH4210, IRFH4210D