IRFG6110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFG6110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFG6110

IRFG6110 Datasheet (PDF)

..1. Size:391K international rectifier
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PD - 90436FIRFG6110JANTX2N7336JANTXV2N7336REF:MIL-PRF-19500/598POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG6110 0.7 1.0A N IRFG6110 1.4 -0.75A PHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theeffi

..2. Size:218K no
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INCHPOUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/598C shall be completed by 26 May 2015. w/AMENDMENT 2 26 February 2015 SUPERSEDING MILPRF19500/598C w/AMENDMENT 1 8 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL AND N-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PA

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History: IPP14N03LA

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