IRFG6110 Todos los transistores

 

IRFG6110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFG6110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 15 nC

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: MO-036AB

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IRFG6110 Datasheet (PDF)

1.1. irfg6110.pdf Size:218K _upd-mosfet

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INCH–POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL–PRF–19500/598C shall be completed by 26 May 2015. w/AMENDMENT 2 26 February 2015 SUPERSEDING MIL–PRF–19500/598C w/AMENDMENT 1 8 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL AND N-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PA

1.2. irfg6110.pdf Size:391K _international_rectifier

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PD - 90436F IRFG6110 JANTX2N7336 JANTXV2N7336 REF:MIL-PRF-19500/598 POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG6110 0.7? 1.0A N IRFG6110 1.4? -0.75A P HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geome

 

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