Справочник MOSFET. IRFG6110

 

IRFG6110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFG6110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB
 

 Аналог (замена) для IRFG6110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFG6110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  international rectifier
 irfg6110.pdf pdf_icon

IRFG6110

PD - 90436FIRFG6110JANTX2N7336JANTXV2N7336REF:MIL-PRF-19500/598POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG6110 0.7 1.0A N IRFG6110 1.4 -0.75A PHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theeffi

 ..2. Size:218K  no
 irfg6110.pdf pdf_icon

IRFG6110

INCHPOUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/598C shall be completed by 26 May 2015. w/AMENDMENT 2 26 February 2015 SUPERSEDING MILPRF19500/598C w/AMENDMENT 1 8 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL AND N-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PA

Другие MOSFET... IRFF212 , IRFF213 , IRFF30B , IRFF30C , IRFF640 , IRFG110 , IRFG5110 , IRFG5210 , BS170 , IRFG9110 , IRFH3702PBF , IRFH3707PBF , IRFH3707PBF-1 , IRFH4201 , IRFH4209D , IRFH4210 , IRFH4210D .

History: IXTA180N10T | SQD50P06-15L

 

 
Back to Top

 


 
.