Справочник MOSFET. IRFG6110

 

IRFG6110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFG6110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB

 Аналог (замена) для IRFG6110

 

 

IRFG6110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  international rectifier
 irfg6110.pdf

IRFG6110 IRFG6110

PD - 90436FIRFG6110JANTX2N7336JANTXV2N7336REF:MIL-PRF-19500/598POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG6110 0.7 1.0A N IRFG6110 1.4 -0.75A PHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theeffi

 ..2. Size:218K  no
 irfg6110.pdf

IRFG6110 IRFG6110

INCHPOUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/598C shall be completed by 26 May 2015. w/AMENDMENT 2 26 February 2015 SUPERSEDING MILPRF19500/598C w/AMENDMENT 1 8 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL AND N-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PA

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top