IRFG9110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFG9110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: MO-036AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFG9110
IRFG9110 Datasheet (PDF)
irfg9110.pdf
PD - 90397GIRFG9110JANTX2N7335JANTXV2N7335REF:MIL-PRF-19500/599POWER MOSFET 100V, QUAD P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFG9110 1.4 -0.75AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheMO-036ABefficient geometry design achieves very l
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INCHPOUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/599E shall be completed by 27 May 2015. w/AMENDMENT 2 27 February 2015 SUPERSEDING MILPRF19500/599E w/AMENDMENT 1 9 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PACKAGE, TYPE 2N
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