IRFG9110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFG9110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: MO-036AB

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IRFG9110 datasheet

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IRFG9110

PD - 90397G IRFG9110 JANTX2N7335 JANTXV2N7335 REF MIL-PRF-19500/599 POWER MOSFET 100V, QUAD P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFG9110 1.4 -0.75A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The MO-036AB efficient geometry design achieves very l

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IRFG9110

INCH POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL PRF 19500/599E shall be completed by 27 May 2015. w/AMENDMENT 2 27 February 2015 SUPERSEDING MIL PRF 19500/599E w/AMENDMENT 1 9 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PACKAGE, TYPE 2N

Otros transistores... IRFF213, IRFF30B, IRFF30C, IRFF640, IRFG110, IRFG5110, IRFG5210, IRFG6110, IRFZ44N, IRFH3702PBF, IRFH3707PBF, IRFH3707PBF-1, IRFH4201, IRFH4209D, IRFH4210, IRFH4210D, IRFH4213