IRFG9110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFG9110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: MO-036AB
IRFG9110 Datasheet (PDF)
irfg9110.pdf
PD - 90397GIRFG9110JANTX2N7335JANTXV2N7335REF:MIL-PRF-19500/599POWER MOSFET 100V, QUAD P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFG9110 1.4 -0.75AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheMO-036ABefficient geometry design achieves very l
irfg9110.pdf
INCHPOUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/599E shall be completed by 27 May 2015. w/AMENDMENT 2 27 February 2015 SUPERSEDING MILPRF19500/599E w/AMENDMENT 1 9 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PACKAGE, TYPE 2N
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918