IRFG9110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFG9110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: MO-036AB
IRFG9110 Datasheet (PDF)
irfg9110.pdf
PD - 90397GIRFG9110JANTX2N7335JANTXV2N7335REF:MIL-PRF-19500/599POWER MOSFET 100V, QUAD P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFG9110 1.4 -0.75AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheMO-036ABefficient geometry design achieves very l
irfg9110.pdf
INCHPOUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/599E shall be completed by 27 May 2015. w/AMENDMENT 2 27 February 2015 SUPERSEDING MILPRF19500/599E w/AMENDMENT 1 9 May 2014 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, QUAD, FIELD EFFECT, P-CHANNEL, SILICON, 14-PIN DUAL INLINE PACKAGE, TYPE 2N
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
