AM25P03-60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM25P03-60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 26.5 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM25P03-60D

AM25P03-60D Datasheet (PDF)

..1. Size:174K analog power
am25p03-60d.pdf

Analog Power AM25P03-60DP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARYminimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) m()ID (A)this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 59 @ VGS = -4.5V 24-26.5converters, power management

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Liste

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