AM25P03-60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM25P03-60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 26.5 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 25 nC
Tiempo de subida (tr): 2.8 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.059 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM25P03-60D
AM25P03-60D Datasheet (PDF)
..1. Size:174K analog power
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Analog Power AM25P03-60DP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARYminimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) m()ID (A)this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 59 @ VGS = -4.5V 24-26.5converters, power management
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