AM25P03-60D Todos los transistores

 

AM25P03-60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM25P03-60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 26.5 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

AM25P03-60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  analog power
 am25p03-60d.pdf pdf_icon

AM25P03-60D

Analog Power AM25P03-60DP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARYminimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) m()ID (A)this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 59 @ VGS = -4.5V 24-26.5converters, power management

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History: PMN50UPE | KUK7606-55A | 2SJ362 | 2N7089

 

 
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