AM25P03-60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM25P03-60D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 26.5 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm

Encapsulados: TO-252

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AM25P03-60D datasheet

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AM25P03-60D

Analog Power AM25P03-60D P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARY minimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 59 @ VGS = -4.5V 24 -26.5 converters, power management

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