AM25P03-60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM25P03-60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 26.5 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AM25P03-60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM25P03-60D даташит

 ..1. Size:174K  analog power
 am25p03-60d.pdf pdf_icon

AM25P03-60D

Analog Power AM25P03-60D P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARY minimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 59 @ VGS = -4.5V 24 -26.5 converters, power management

Другие IGBT... IRFH7188, IRFH7190, IRFH7191, IRFH7194, IRFH7440, IRFH7446, IRFH7545, IRFH7787, AON6380, AM2N7002, AM2N7002DW, AM2N7002K, AM2N7002W, AM3015, AM30N02-40D, AM30N02-59D, AM30N03-40D