AM3015 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3015
   Código: M8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3015

AM3015 Datasheet (PDF)

..1. Size:704K ait semi
am3015.pdf

AM3015 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM3015 uses advanced trench technology to V = -30V, I = -15A DS Dprovide excellent R , This device is suitable for R

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