AM3015 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM3015
Маркировка: M8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 48 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 410 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
AM3015 Datasheet (PDF)
..1. Size:704K ait semi
am3015.pdf
am3015.pdf
AM3015 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM3015 uses advanced trench technology to V = -30V, I = -15A DS Dprovide excellent R , This device is suitable for R
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
