Справочник MOSFET. AM3015

 

AM3015 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM3015
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для AM3015

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3015 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:704K  ait semi
 am3015.pdf pdf_icon

AM3015

AM3015 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM3015 uses advanced trench technology to V = -30V, I = -15A DS Dprovide excellent R , This device is suitable for R

Другие MOSFET... IRFH7446 , IRFH7545 , IRFH7787 , AM25P03-60D , AM2N7002 , AM2N7002DW , AM2N7002K , AM2N7002W , 20N50 , AM30N02-40D , AM30N02-59D , AM30N03-40D , AM30N03-59D , AM30N06-39D , AM30N06-39IE , AM30N06-65DA , AM30N08-80D .

History: PJP7NA80 | FDD20AN06A0

 

 
Back to Top

 


 
.