Справочник MOSFET. AM3015

 

AM3015 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM3015
   Маркировка: M8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3015 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:704K  ait semi
am3015.pdfpdf_icon

AM3015

AM3015 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM3015 uses advanced trench technology to V = -30V, I = -15A DS Dprovide excellent R , This device is suitable for R

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SRC60R200 | 2SJ605-S | CS3N90P | 2SJ246S | IRHY67434CM

 

 
Back to Top

 


 
.