AM3015. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM3015

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для AM3015

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3015 даташит

 ..1. Size:704K  ait semi
 am3015.pdf pdf_icon

AM3015

AM3015 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM3015 uses advanced trench technology to V = -30V, I = -15A DS D provide excellent R , This device is suitable for R

Другие IGBT... IRFH7446, IRFH7545, IRFH7787, AM25P03-60D, AM2N7002, AM2N7002DW, AM2N7002K, AM2N7002W, STP80NF70, AM30N02-40D, AM30N02-59D, AM30N03-40D, AM30N03-59D, AM30N06-39D, AM30N06-39IE, AM30N06-65DA, AM30N08-80D