AM30N20-400PCFM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM30N20-400PCFM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220CFM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM30N20-400PCFM

AM30N20-400PCFM Datasheet (PDF)

0.1. Size:307K analog power
am30n20-400pcfm.pdf

Analog Power AM30N20-400PCFMN-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)400 @ VGS = 10V9 Low thermal impedance 200450 @ VGS = 5.5V8.5 Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED bo

6.1. Size:85K analog power
am30n20-78d.pdf

Analog Power AM30N20-78DN-Channel 200-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 78 @ VGS = 10V 21converters and power management in portable and 20092 @ VGS = 5.5V 20bat

8.1. Size:293K analog power
am30n25-270p.pdf

Analog Power AM30N25-270PN-Channel 250-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)300 @ VGS = 10V Low thermal impedance 25026a450 @ VGS = 5.5V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems DRAIN connected Industrial DC/DC Conversion Circu

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Liste

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