AM30N20-400PCFM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM30N20-400PCFM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15.8 nC
Время нарастания (tr): 17.6 ns
Выходная емкость (Cd): 81 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220CFM
Аналог (замена) для AM30N20-400PCFM
AM30N20-400PCFM Datasheet (PDF)
am30n20-400pcfm.pdf
Analog Power AM30N20-400PCFMN-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)400 @ VGS = 10V9 Low thermal impedance 200450 @ VGS = 5.5V8.5 Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED bo
am30n20-78d.pdf
Analog Power AM30N20-78DN-Channel 200-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 78 @ VGS = 10V 21converters and power management in portable and 20092 @ VGS = 5.5V 20bat
am30n25-270p.pdf
Analog Power AM30N25-270PN-Channel 250-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)300 @ VGS = 10V Low thermal impedance 25026a450 @ VGS = 5.5V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems DRAIN connected Industrial DC/DC Conversion Circu
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
