AM3460N Todos los transistores

 

AM3460N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM3460N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

 Búsqueda de reemplazo de AM3460N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AM3460N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  analog power
 am3460n.pdf pdf_icon

AM3460N

Analog Power AM3460NN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARYprovide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical VDS (V) rDS(on) () ID (A)applications are DC-DC converters and power 0.027 @ VGS = 10 V 7.1management in portable and battery-powered 60products

 9.1. Size:326K  analog power
 am3463p.pdf pdf_icon

AM3460N

Analog Power AM3463PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)180 @ VGS = -10V -2.7 Low thermal impedance -60255 @ VGS = -4.5V -2.3 Fast switching speed Typical Applications: TSOP-6 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

Otros transistores... AM3454N , AM3455P , AM3456N , AM3456NE , AM3457P , AM3457PE , AM3458N , AM3459P , 10N60 , AM3463P , AM3470N , AM3471P , AM3472N , AM3474N , AM3483 , AM3490N , AM3490NE .

History: WMP80R1K5S | CMLDM7003E | R6046ANZ | AOI1R4A70

 

 
Back to Top

 


 
.