AM3460N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM3460N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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AM3460N datasheet

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AM3460N

Analog Power AM3460N N-Channel 60V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARY provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) applications are DC-DC converters and power 0.027 @ VGS = 10 V 7.1 management in portable and battery-powered 60 products

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AM3460N

Analog Power AM3463P P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 180 @ VGS = -10V -2.7 Low thermal impedance -60 255 @ VGS = -4.5V -2.3 Fast switching speed Typical Applications TSOP-6 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

Otros transistores... AM3454N, AM3455P, AM3456N, AM3456NE, AM3457P, AM3457PE, AM3458N, AM3459P, IRFP260N, AM3463P, AM3470N, AM3471P, AM3472N, AM3474N, AM3483, AM3490N, AM3490NE